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IPP120N06N G参数：MOSFET N-CH 60V 75A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012标准包装：500系列：OptiMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12毫欧@75A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@94µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：62nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2100pF@30V功率-最大值：158W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3
